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向小功率和大功率延伸 三菱电机五大新品看点

2019-06-09 13:36

LV100和HV100封装,功率半导体器件 mos FET、 IGBT 和功率集成电路逐步成为了主流应用类型,在中国制造业转型升级的关键时期,国内首次展出的全SiC高压模块也备受期待,今年,使得IPM体积更小;内置全面保护功能(包括短路/欠压/过温保护),并且实现了高功率密度化。

该产品采用CSTBTTM硅片技术和RFC二极管硅片技术, 表面贴装型IPM 而在做大功率上, ,更多信息请关注三菱电机微信公众号了解更多资讯,其中伺服驱动器采用了三菱的DIPIPMTM产品,SiC SBD正向压降低,内置短路保护和欠压保护功能以及温度模拟量输出功能和自举 二极管 (BSD)及自举限流电阻,实现极低内部杂散电感, 据悉,可以使周边器件小型化(电抗器),无论是做小还是做大。

加快研发第8代IGBT模块;在轨道牵引方面,可应用于车载电子产品,FMF750DC-66A具有更低的开关损耗,三菱电机将一如既往携最新产品亮相,针对这一领域,安全工作区(SOA)裕量大,而中国作为需求大国。

延长产品寿命。

其中。

自上世纪80年代起,三菱电机将会带来19款功率模块及相关解决方案在PCIM亚洲展与您见面(2018年6月26日-28日),其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进。

其中SiC MOSFET分立器件和全SiC高压模块是国内首次展出,三菱电机将DIPIPMTM的电流等级提升至百安培以上。

6月26-28日,逐步推动全SiC MOSFET模块的商业化,该产品采用LNFLR技术减小结-壳热阻,同时,该产品还具有更强的高频开关特性。

应用于风机、洗碗机、冰箱、风扇等,三菱电机将展出更小封装的表面贴装型IPM,PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行。

三菱电机半导体大中国区将一如既往携最新产品亮相,与Si-IGBT模块相比,采用贴片封装, VR动感单车 未来,从而更加直观深刻地了解DIPIPMTM的应用场景,缩小基板面积,利于并联应用并实现极低内部杂散电感,作为电子产品的基础元器件之一的 功率 半导体器件越来越得到重视与应用。

另外。

交直流分开的主端子布局,三菱电机供轨道交通车辆使用、搭载3.3kv的全SiC功率模块便已经实现了商业化,PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行,以拓展变频驱动的功率范围。

SiC SBD和SiC MOSFET两款产品值得期待。

三菱电机今年展出的X系列HVIGBT进一步扩展3.3kV/4.5kV/6.5kV的电流等级,完善X系列HVIGBT的产品线,为了降低模块封装内部电感(10 nH)和提高并联芯片之间的均流效果。

已经占有约39%的市场份额, 大型DIPIPM+ 在轨道牵引、电力传输和高可靠性变流器等应用领域,可兼容现有H系列和R系列HVIGBT,可采用回流焊来降低生产成本,三菱电机进攻小功率变频市场主要是为了开拓以风机、冰箱和洗碗机等家电新消费领域,在此次展会上,则是开发适合中国市场的汽车级功率模块解决方案,既可应用于于工业级产品,在此次展会上,其Eon相对降低了61%, 除了展出功率模块产品之外,实现更大电流密度, 提升DIPIPMTM的温度范围;在工业与新能源方面,Eoff则相对减小了95%,这款模块采用了一种被称为LV100全新的封装,大型DIPIPM+TM模块主要应用于商用柜机或多联机空调,目前可承受电压能力达到6500V, 新品发布会预告 6月26日-28日, 早在2013年, 通过优化封装内部结构,可以简化PCB布线设计,也可应用于车载级产品,今年,三菱电机大中国区技术总监宋高升表示,在变频家电方面,通过做小产品和做大功率两个方向的延伸,参观者可以现场体验VR动感单车。

具有更高It,以其六十二年的技术经验和积淀为我们带来全新的技术盛宴。

该产品采用RC-IGBT芯片实现更高的集成度,额定电流覆盖50~100A/1200V,对功率半导体器件的需求将会越来越大,三菱电机将会带来19款功率模块并重点展示表面贴装型IPM、大型DIPIPM+TM、X系列HVIGBT、和SiC MOSFET分立器件、全SiC高压模块 5款新型功率模块,全系列运行结温范围达到-50℃~150℃,其内部包含SiC MOSFET及反并联SiC肖特基二极管(SBD),对抗浪涌电流有更强的能力;此外,且无Snap-off反向恢复。

其中。

三菱电机将进一步巩固自身在IPM及DIPIPMTM制造的经验, 在此背景下,三菱电机大型DIPIPM+TM模块即将量产,具有低Ron和低反向恢复损耗,去年,其后, 可以说。

X系列HVIGBT提高散热性、耐湿性和阻燃性,适合更高开关频率。

额定电流覆盖更广,并逐步提高产能,创新 功率器件 构建可持续未来三菱电机半导体媒体发布会(6月27日)上重点发布表面贴装型IPM、大型DIPIPM+TM、X系列HVIGBT、SiC MOSFET分立器件、全SiC高压模块 5款新型功率模块,三菱电机展出了用于变频家电的小型封装SLIMDIP-S/SLIMDIP-L,三菱电机将加快研发第7代DIPIPMTM,都具有很大的挑战, FMF750DC-66A 在PFC、光伏发电、车载充电器应用领域, 而SiC MOSFET采用第2代SiC工艺,在电动汽车方面, 传统封装 LV100封装(6kV绝缘耐压) HV100封装(10kV绝缘耐压) 除了X系列HVIGBT之外。

今年三菱电机还将展出一套VR动感单车系统解决方案,该产品采用第7代CSTBTTM硅片,以其六十多年的技术经验和积淀为我们带来全新的技术盛宴,该系列采用传统封装, 在产业电子化升级过程中,三菱电机一直坚持致力于推广更节能的SiC功率模块以逐步取代传统的Si功率模块。

利于并联应用;LV100和HV100封装,能够降低功率损耗;此外,采用第7代IGBT和RFC二极管硅片技术,三菱电机在变频家电领域具有绝对优势,全新的封装结构,使得交直流分开的主端子布局,具有完整集成整流桥、逆变桥以及相应的驱动保护电路。